DPC components (Direct Plating Copper)
Applications: High-power laser submount, Light obstruction free submount, Heat dissipation submount etc.
Technology: Thick Plating ｜ Thin Film
Material: Aluminum Nitride
Size: ：4.5 x 5.7 x 0.345 mm
TC ≥170W/m·K, 200W/m·K, 230W/m·K
Submount TTV：≤ 10μm
Ra： 0.3 ~ 0.5μm
Conductive wire area：
Ti( 0.1μm nom) Cu(2μm nom) Ni(2.5±0.5μm min) Au(0.5μm min)
Thick film area：
Ti(0.1μm nom) Cu(75μm nom) Ni(2.5±0.5μm) Au(1.0μm min)
AuSn area：
Pt(0.2μm min) AuSn:Au73±3wt%(3.0±0.5μm) Au Flush(0.1μm Typ)
Material: Aluminum Nitride
Size: ：4.5 x 4.0 x 0.337 mm
TC ≥170W/m·K, 200W/m·K, 230W/m·K
Submount TTV：≤ 10μm
Ra： 0.3 ~ 0.5μm
Conductive wire area：
Ti( 0.1μm nom) Cu(2μm nom) Ni(2.5±0.5μm min) Au(0.5μm min)
Thick film area：
Ti(0.1μm nom)+Cu(75μm nom)+Ni(2.5±0.5μm)+Au(1.0μm min)
AuSn area：
Pt(0.2μm min) AuSn:Au73±3wt%(3.0±0.5μm) Au Flush(0.1μm Typ)
Material: Aluminum Nitride
Size: ：4.5 x 5.2 x 0.345 mm
TC ≥170W/m·K, 200W/m·K, 230W/m·K
Submount TTV：≤ 10μm
Ra： 0.3 ~ 0.5μm
Conductive wire area：
Ti( 0.1μm nom) Cu(2μm nom) Ni(2.5±0.5μm min) Au(0.5μm min)
Thick film area：
Ti(0.1μm nom)+Cu(75μm nom)+Ni(2.5±0.5μm)+Au(1.0μm min)
AuSn area：
Pt(0.2μm min) AuSn:Au73±3wt%(3.0±0.5μm) Au Flush(0.1μm Typ)
Material: Aluminum Nitride
Size: ：4.5 x 6.4 x 0.337 mm
TC ≥170W/m·K, 200W/m·K, 230W/m·K
Submount TTV：≤ 10μm
Ra： 0.3 ~ 0.5μm
Conductive wire area：
Ti( 0.1μm nom Cu(2μm nom) Ni(2.5±0.5μm min) Au(0.5μm min)
Thick film area：
Ti(0.1μm nom)+Cu(75μm nom)+Ni(2.5±0.5μm)+Au(1.0μm min)
AuSn area：
Pt(0.2μm min) AuSn:Au73±3wt%(3.0±0.5μm) Au Flush(0.1μm Typ)
Material: Aluminum Nitride
Size: ：4.5 x 4.5 x 0.345 mm
TC ≥170W/m·K, 200W/m·K, 230W/m·K
Submount TTV：≤ 10μm
Ra： 0.3 ~ 0.5μm
Conductive wire area：
Ti( 0.1μm nom) Cu(2μm nom) Ni(2.5±0.5μm min) Au(0.5μm min)
Thick film area：
Ti(0.1μm nom) Cu(75μm nom) Ni(2.5±0.5μm) Au(1.0μm min)
AuSn area：
Pt(0.2μm min) AuSn:Au73±3wt%(3.0±0.5μm) Au Flush(0.1μm Typ)
Material: Aluminum Nitride
Size: ：4.75 x 7.9 x 0.345 mm
TC ≥170W/m·K, 200W/m·K, 230W/m·K
Submount TTV：≤ 10μm
Ra： 0.3 ~ 0.5μm
Conductive wire area：
Ti( 0.1μm nom) Cu(2μm nom) Ni(2.5±0.5μm min) Au(0.5μm min)
Thick film area：
Ti(0.1μm nom)+Cu(75μm nom)+Ni(2.5±0.5μm)+Au(1.0μm min)
AuSn area：
Pt(0.2μm min) AuSn:Au73±3wt%(3.0±0.5μm) Au Flush(0.1μm Typ)
Material: Aluminum Nitride
Size: ：4.5 x 4.5 x 0.345 mm
TC ≥170W/m·K, 200W/m·K, 230W/m·K
Submount TTV：≤ 10μm
Ra： 0.3 ~ 0.5μm
Conductive wire area：
Ti( 0.1μm nom) Cu(2μm nom) Ni(2.5±0.5μm min) Au(0.5μm min)
Thick film area：
Ti(0.1μm nom) Cu(75μm nom) Ni(2.5±0.5μm) Au(1.0μm min)
AuSn area：
Pt(0.2μm min) AuSn:Au73±3wt%(3.0±0.5μm) Au Flush(0.1μm Typ)
Material: Aluminum Nitride
Size: ：4.5 x 2.0 x 0.345 mm
TC ≥170W/m·K, 200W/m·K, 230W/m·K
Submount TTV：≤ 10μm
Ra： 0.3 ~ 0.5μm
Conductive wire area：
Ti( 0.1μm nom) Cu(2μm nom) Ni(2.5±0.5μm min) Au(0.5μm min)
Thick film area：
Ti(0.1μm nom) Cu(75μm nom) Ni(2.5±0.5μm) Au(1.0μm min)
AuSn area：
Pt(0.2μm min) AuSn:Au73±3wt%(3.0±0.5μm) Au Flush(0.1μm Typ)
Material: Aluminum Nitride
Size: ：8.5 x 5.7 x 0.345 mm
TC ≥170W/m·K, 200W/m·K, 230W/m·K
Submount TTV：≤ 10μm
Ra： 0.3 ~ 0.5μm
Conductive wire area：
Ti( 0.1μm nom) Cu(2μm nom) Ni(2.5±0.5μm min) Au(0.5μm min)
Thick film area：
Ti(0.1μm nom) Cu(75μm nom)+Ni(2.5±0.5μm) Au(1.0μm min)
AuSn area：
Pt(0.2μm min)+AuSn:Au73±3wt%(3.0±0.5μm)+Au Flush(0.1μm Typ)